요약문
요약문
반도체 산업 내 최선단 공정 전환 투자가 활성화됨에 따라, 고부가 제품(서버 중심) 수요 대응을 위한 장비 수요가 급증하고 있습니다. 특히 3D NAND의 적층단수가 300단 이상으로 확대되면서 고압 어닐링 장비의 침투율이 본격적으로 높아지는 구간에 진입했습니다.
향후 2년 동안은 고객사 다변화와 신규 공정(HCB 등) 도입에 따른 추가 업사이드가 중첩되며 차별화된 성장이 전망됩니다. 경쟁사의 시장 진입 우려가 존재하나, 과거 레퍼런스와 고객사 채용 계획을 고려할 때 점유율 영향은 제한적일 것으로 판단됩니다. 강력한 이익 성장과 풍부한 현금흐름을 바탕으로 한 적극적인 매수 접근이 필요한 시점입니다.
핵심 포인트
- 최선단 공정 전환 및 고압 어닐링 장비 침투율 확대: 3D NAND 적층단수 확대(300단 이상)로 인해 고압 어닐링 장비의 실익이 증가하였으며, 사실상 모든 NAND 업계가 장비 채택을 결정한 것으로 추정됩니다.
- 신규 공정(HCB) 도입에 따른 추가 성장성: 차세대 3D NAND 개발 과정에서 고단수 공정과 저단수 공정(HCB 적용)이 동시에 개발됨에 따라, HCB(Wafer to Wafer Bonding) 침투율 확대가 고압 어닐링 장비의 활용성을 더욱 높일 전망입니다.
- 로직/파운드리향 매출 재개 및 AI 수혜: 로직/파운드리 업계의 Capex 상향과 더불어 Agentic AI로 인한 CPU 쇼티지 심화가 신규 수주 상향의 기회 요인으로 작용하고 있습니다.
- 고객 다변화 및 시장 지배력 유지: 2027년 5개 고객사향 공급이 전망되며, 경쟁사 진입 리스크가 있더라도 2028년까지 점유율 영향은 10% 이내로 제한적일 것으로 판단됩니다.
핵심 숫자/비교
- 목표주가: 71,000원 (이익 전망 상향 반영)
- NAND향 장비 출하량: 2027년 전년 대비 70% 상승 전망
- 2028년 매출 가정: 고압 산화막 장비 매출액 300억원 (부품/서비스 매출은 장비 매출의 9% 가정)
- 수익성 지표: 영업이익률 58% 가정
- 점유율 리스크: 신규 진입 시 2028년까지 점유율 영향은 10% 이내로 판단
체크 포인트
- 수요/공급: 3D NAND 적층단수 확대 추이 및 HCB(Wafer to Wafer Bonding) 공정 채택 속도
- 실적: 2027년 NAND향 장비 출하량 급증(70%)에 따른 실적 반영 여부 및 고객사 다변화 효과
- 신규 성장: HPO, Toxin 가스 활용 신장비 등 신규 장비 라인업의 시장 안착
- 전략적 투자: 풍부한 현금흐름을 활용한 Inorganic 성장(M&A 등) 기회 포착