하반기 메모리 가격은 예상보다 더 좋을 것

요약문

하반기 메모리 시장은 상반기의 급격한 가격 상승 이후 상승폭이 둔화될 것이라는 시장의 우려와 달리, 범용 DRAM과 NAND 가격이 기대치를 상회하며 지속적인 상승세를 보일 것으로 전망됩니다. 현재 공급사들의 재고는 이미 바닥권에 도달해 있어 공급 부족 현상이 쉽게 해소되기 어려운 구조이며, 신규 팹(P4L, M15X)의 램프업 역시 범용 제품이 아닌 HBM 수요 대응에 집중되어 있어 범용 메모리 시장의 공급 부족은 당분간 지속될 것입니다.

특히 2026~2027년은 강력한 수요 속에서 신규 공급이 HBM 중심으로 이루어지는 구간입니다. 올해는 범용 메모리의 가격 급등이 사이클을 주도했다면, 내년에는 HBM이 다시 한번 사이클을 견인할 것으로 보입니다. 또한, 주요 고객사와의 장기공급계약(LTA) 확대는 향후 공급 증가 국면에서도 가격 하방을 지지하며 과거와 같은 극심한 이익 변동성을 완화하는 핵심 장치가 될 것입니다.

핵심 포인트

• 시장 기대치를 상회하는 하반기 가격 상승: 2분기 전략적 가격 제한을 거친 메모리 메이커들이 3분기부터 높은 수준의 가격 인상을 단행할 가능성이 높습니다.
• 공급 부족의 지속성: 낮은 재고 수준과 HBM 중심의 CAPA 투자로 인해 PC, 모바일, 서버용 범용 DRAM의 공급 부족 해소는 지연될 전망입니다.
• HBM 중심의 차세대 사이클: 3분기 HBM4 출하를 시작으로 내년에는 HBM의 수익성이 범용 메모리를 앞지르며 새로운 상승 동력을 제공할 것입니다.
• LTA를 통한 이익 방어: AI 및 서버 고객과의 장기공급계약(LTA) 구조는 향후 공급 과잉 국면에서도 ASP 급락을 막는 안전장치 역할을 합니다.

핵심 숫자/비교

• 3분기 예상 가격 상승률(QoQ): DRAM 15~25%, NAND 20~25% (TrendForce 예상치인 DRAM +3~8%, NAND +8~13%를 상회하는 수준)
• DRAM Sufficiency Ratio(수요 대비 공급 충족도): 2분기 -2.55% → 3분기 -2.17% (공급 부족 지속)
• 공급 증가 시점: 삼성전자 P5 및 SK하이닉스 Y1의 의미 있는 램프업은 2028년 상반기로 예상
• 수익성 역전: 2분기에는 HBM 수익성이 범용과 유사하거나 소폭 낮았으나, 내년에는 HBM 수익성이 범용을 앞설 것으로 전망

체크 포인트

• 수요/공급: 2026~2027년 사이 범용 DRAM 공급 증가 속도와 HBM CAPA 선점 경쟁 추이
• 실적: 3분기부터 본격화되는 HBM4 출하에 따른 매출 확대 및 마진 개선 여부
• 정책/계약: 주요 AI/서버 고객사와의 LTA(장기공급계약) 체결 규모 및 조건
• 밸류에이션: 공급 증가 국면(2028년 이후) 진입 시 LTA를 통한 이익 방어력 검증